IRF7526D1TR【PDF 2/8 页】MOSFET P-CH 30V 2A MICRO8

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IRF7526D1

MOSFET Electrical Characteristics @ T J = 25°C (unless otherwise specified)

Parameter

Min.

Typ.

Max. Units Conditions

?

––– R G = 6.2 ?

V (BR)DSS

R DS(on)

V GS(th)

g fs

I DSS

I GSS

Q g

Q gs

Q gd

t d(on)

t r

t d(off)

t f

C iss

C oss

C rss

Drain-to-Source Breakdown Voltage

Static Drain-to-Source On-Resistance

Gate Threshold Voltage

Forward Transconductance

Drain-to-Source Leakage Current

Gate-to-Source Forward Leakage

Gate-to-Source Reverse Leakage

Total Gate Charge

Gate-to-Source Charge

Gate-to-Drain ("Miller") Charge

Turn-On Delay Time

Rise Time

Turn-Off Delay Time

Fall Time

Input Capacitance

Output Capacitance

Reverse Transfer Capacitance

-30

–––

–––

-1.0

0.94

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

0.17

0.30

–––

–––

–––

–––

–––

–––

7.5

1.3

2.5

9.7

12

19

9.3

180

87

42

––– V V GS = 0V, I D = -250μA

0.20 V GS = -10V, I D = -1.2A ?

0.40 V GS = -4.5V, I D = -0.60A ?

––– V V DS = V GS , I D = -250μA

––– S V DS = -10V, I D = -0.60A

-1.0 V DS = -24V, V GS = 0V

μA

-25 V DS = -24V, V GS = 0V, T J = 125°C

-100 V GS = -20V

nA

100 V GS = 20V

11 I D = -1.2A

1.9 nC V DS = -24V

3.7 V GS = -10V, See Fig. 6 ?

––– V DD = -15V

––– I D = -1.2A

ns

––– R D = 12 ?, ?

––– V GS = 0V

––– pF V DS = -25V

––– ? = 1.0MHz, See Fig. 5

MOSFET Source-Drain Ratings and Characteristics

Parameter

Min.

Typ.

Max. Units

Conditions

I S

I SM

Continuous Source Current(Body Diode)

Pulsed Source Current (Body Diode)

–––

–––

–––

–––

-1.25

-9.6

A

V SD

t rr

Q rr

Body Diode Forward Voltage

Reverse Recovery Time (Body Diode)

Reverse Recovery Charge

–––

–––

–––

–––

30

37

-1.2 V T J = 25°C, I S = -1.2A, V GS = 0V

45 ns T J = 25°C, I F = -1.2A

55 nC di/dt = 100A/μs ?

Schottky Diode Maximum Ratings

Parameter

Max. Units

Conditions

I F(av)

I SM

Max. Average Forward Current

Max. peak one cycle Non-repetitive

Surge current

1.9

1.3

120

11

A

A

50% Duty Cycle. Rectangular Wave, T A = 25°C

See Fig. 14 T A = 70°C

5μs sine or 3μs Rect. pulse Following any rated

10ms sine or 6ms Rect. pulse load condition &

with V RRM applied

Schottky Diode Electrical Specifications

Parameter

Max. Units

Conditions

V FM

Max. Forward voltage drop

0.50

0.62

0.39

0.57

V

I F = 1.0A, T J = 25°C

I F = 2.0A, T J = 25°C

I F = 1.0A, T J = 125°C

I F = 2.0A, T J = 125°C .

I RM

Max. Reverse Leakage current

0.06

16

mA

V R = 30V T J = 25°C

T J = 125°C

C t

dv/dt

Max. Junction Capacitance

Max. Voltage Rate of Charge

92 pF

3600 V/μs

V R = 5Vdc ( 100kHz to 1 MHz) 25°C

Rated V R

( HEXFET is the reg. TM for International Rectifier Power MOSFET's )

2

www.irf.com

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